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半导体IGBT元器件电参数测试分析实验室
静态参数测试执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012、GJB128B-2021试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;检测能力:2000V/200A.7000V/5000A。开关特性测试执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;试验对象:SiSiC二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;试
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2026-07-31 |
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高温反偏试验（HTRB）第三方检测中心长禾实验室
西安长禾实验室介绍西安长禾半导体技术有限公司(简称长禾实验室)，位于中国西部科技创新高地西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。作为国家认可委员会(CNAS)正式认证的大功率器件测试服务中心，长禾实验室严格遵循国际标准，致力于为国内外客户提供一站式，全方位的专业测试服务
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2026-07-31 |
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半导体直流参数第三方检测中心长禾实验室
西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专
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2026-07-31 |
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IGBT，SIC MOS老化高温反偏测试（长禾半导体）
西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，
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宽禁带半导体sic器件测试中心
静态参数测试执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012、GJB128B-2021试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;检测能力:2000V/200A.7000V/5000A。开关特性测试执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;试验对象:SiSiC二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;试
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半导体直流参数第三方检测中心长禾实验室
项目检测能力静态参数测试执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012、GJB128B-2021试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;检测能分:2000V/200A.7000V/5000A。开关特性测试执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;试验对象:SiSiC二极管、MOSFET、IGBT等
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2026-07-31 |
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