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日立能源ABB IGBT模块5SNA1500G450350 ABB IGBT模块5SNA1500G4503505SNA 1500G450350HiPak IGBT ModuleVCE = 4500 VIC = 1500 A超低损耗SPT++技术具有增加的二极管面积的非常软开关FCE二极管卓悦的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板根据UL1557,文件E 196689认可ABB IGBT模块5SNA1500G450350ABB的 IGBT功率模块为电
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2025-07-27 |
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日立能源ABB IGBT模块5SNA1500G450300 ABB IGBT模块5SNA1500G4503005SNA 1500G450300HiPak IGBT ModuleVCE = 4500 VIC = 1500 A超低损耗SPT++技术具有增加的二极管面积的非常软开关FCE二极管卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板根据UL1557,文件E 196689认可ABB IGBT模块5SNA1500G450300ABB的 IGBT功率模块为电
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日立能源ABB IGBT模块5SLD1500J450350 ABB IGBT模块5SLD1500J4503505SLD 1500J450350HiPak Diode moduleVCE = 4500 VIC = 2x 1500 A超低损耗、坚固耐用的SPT++二极管卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装,一个封装中包含2个二极管用于低热阻和高功率循环能力的AlSiC基板和AlN基板ABB IGBT模块5SLD1500J450350ABB的 IGBT功率模块为电压从1700伏特至6500伏特的单
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日立能源ABB IGBT模块5SNA0500J650300 ABB IGBT模块5SNA0500J6503005SNA 0500J650300HiPak IGBT ModuleVCE = 6500 VIC = 500 A超低损耗、坚固耐用的SPT+芯片组平滑切换SPT+芯片组,实现良好的EMC高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板改进的高可靠性封装在UL1557下识别,文件E196689ABB IGBT模块5SNA0500J650300ABB的 IGBT功率模块为电压从17
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日立能源ABB IGBT模块5SNA0600G650100 ABB IGBT模块5SNA0600G650100ABB HiPakTMIGBT Module5SNA 0600G650100VCE = 6500 VIC = 600 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组,电磁兼容性好高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板改进的高可靠性封装在UL1557下识别,文件E196689ABB IGBT模块5SNA0600G650100ABB的 IGBT功率模块为电压从17
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日立能源ABB IGBT模块5SLD 0600J650100 供应ABB高压IGBT模块5SLD 0600J650100价格:电议/面议起订量: 1供货总量: 999发货期: 10天内发货包装说明:: 盒装产品规格: 只日期: 2024ABB IGBT模块5SLD0600J650100ABB HiPakDIODE Module5SLD 0600J650100VRRM = 6500 VIF = 2x 600 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组,电磁兼容性好工业标准封装高绝缘
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日立能源ABB IGBT模块5SNA 1000G650300 供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯片组卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于低热阻和高功率循环能力的AlSiC基板和AlN基板在UL1557下识别,文件E196689ABB的 IGBT功率模块为电压从1700伏特至6500伏特的单一IGBT,双/桥臂式IGBT
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 15F2502 Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 15F2502VDRM=2500 VITGQM=1500 AITSM= 10103AVT0=1.45 VrT=0.90 mWVDclink=1400 V 专利自由漂浮硅技术 低导通损耗和开关损耗 环形闸极 行业标准的外壳 宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管(GTO)的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种,可以通过门极施加反向电流使其关
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