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日立能源ABB GTO二极管5SGA 30J4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 30J4502VDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24103AVT0= 2.2 VrT= 0.6 mΩVDclink= 2800 V专利的自由浮动硅技术低导通状态和开关损耗环形栅电极行业标准外壳抗宇宙辐射等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断
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2025-11-11 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 40L4501
Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断
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2025-11-11 |
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日立能源ABB IGBT模块5SNA 1000G650300
供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯片组卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于低热阻和高功率循环能力的AlSiC基板和AlN基板在UL1557下识别，文件E196689ABB的 IGBT功率模块为电压从1700伏特至6500伏特的单一IGBT，双/桥臂式IGBT
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2025-11-05 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 15F2502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 15F2502VDRM=2500 VITGQM=1500 AITSM= 10103AVT0=1.45 VrT=0.90 mWVDclink=1400 V 专利自由漂浮硅技术 低导通损耗和开关损耗 环形闸极 行业标准的外壳 宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关
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2025-11-05 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 20H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2000 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断。GTO的生产始于2
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2025-11-05 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 25H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 25H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2500 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断。GTO的生产始于2
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2025-11-05 |
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日立能源ABB IGBT模块5SLD 1000N330300
ABB IGBT模块5SLD 1000N330300价格：电议/面议起订量： 1供货总量： 999发货期： 10天内发货包装说明:： 盒装产品规格： 只日期： 20245SLD 1000N330300HiPak二极管模块VRRM = 3300 VIF = 2 x 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT+二极管平滑开关SPT+二极管，实现良好的EMC用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板一个封
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2025-10-27 |
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日立能源ABB IGBT模块5SNA 1200G330100
ABB IGBT模块5SNA 1200G330100价格：电议/面议起订量： 1供货总量： 999发货期： 10天内发货包装说明:： 盒装产品规格： 只日期： 2024ABB HiPak IGBT Module5SNA 1200G330100VCE = 3300 VIC = 1200 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组，电磁兼容性好高绝缘封装高功率密度用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻
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2025-10-27 |
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