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日立能源ABB PCT二极管5STP 45Q2800
Phase Control Thyristor5STP 45Q2800VDRM=2800 VIT(A V)M=5710 AIT(RMS)=8970 AITSM= 77.0103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2026-01-29 |
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日立能源ABB PCT二极管 5STP 50Q1800
Phase Control Thyristor5STP 50Q1800VDRM=1800 VIT(A V)M=6100 AIT(RMS)=9580 AITSM= 94.0103AVT0=0.90 VrT=0.050 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
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2026-01-22 |
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日立能源ABB PCT二极管 5STP 42L1800
Phase Control Thyristor5STP 42L1800VDRM=1800 VIT(A V)M=4310 AIT(RMS)=6770 AITSM= 64.0103AVT0=0.81 VrT=0.08 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（
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2026-01-22 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 06D2800
Phase Control Thyristor5STP 06D2800VDRM=2800 VIT(A V)M=640 AIT(RMS)=1100 AITSM= 8.8103AVT0=0.92 VrT=0.78 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2026-01-22 |
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日立能源ABB PCT 二极管5STP 16F2810
5STP 16F2810Phase control thyristorVDRM, VRRM= 2800 VITA vm= 1500 AITSM= 18000 AVT0= 0.956 VrT= 0.297 mΩ专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2026-01-22 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 27H1800
Phase Control Thyristor5STP 27H1800VDRM=1800 VIT(A V)M=2940 AIT(RMS)=4620 AITSM= 50.5103AVT0=0.912 VrT=0.096 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
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2026-01-17 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristorVDRM, VRRM= 1800 VITA Vm= 1780 AITSM= 21000 AVT0= 0.923 VrT= 0.188 mΩ 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
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2026-01-15 |
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日立能源ABB PCT晶闸管5STP 03D6500
5STP 03D6500Phase control thyristor VDRM, VRRM = 6500 V ITA Vm = 390 A ITSM = 4700 A VT0 = 1.200 V rT = 2.300 mΩ Patented free-floating silicon technology Low on-state losses Designed for energy and industrial applications Optimum power handling cap
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2026-01-14 |
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