| 图片 |
标 题 |
更新时间 |
 |
日立能源ABB PCT二极管 5STP 18H4200
VDRM=4200 VPhase Control Thyristor5STP 18H4200IT(A V)M=2170 AIT(RMS)=3400 AITSM= 32.0103AVT0=0.982 VrT=0.274 mW
|
2025-12-05 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 28L4200
Phase Control Thyristor5STP 28L4200VDRM=4200 VIT(A V)M=3290 AIT(RMS)=5160 AITSM= 54.0103AVT0=1.03 VrT=0.138 mW
|
2025-12-05 |
 |
日立能源ABB GTO二极管5SGF 40L4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGF 40L4502VDRM=4500 VITGQM=4000 AITSM= 25103AVT0=1.2 VrT=0.65 mWVDclink=2800 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断。GTO的
|
2025-12-02 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 07D1800
Phase Control Thyristor5STP 07D1800VDRM=1800 VIT(A V)M=760 AIT(RMS)=1190 AITSM= 9.0103AVT0=0.927 VrT=0.448 m 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
|
2025-12-02 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristorVDRM, VRRM= 1800 VITA Vm= 1780 AITSM= 21000 AVT0= 0.923 VrT= 0.188 mΩ 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
|
2025-12-02 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 27H1800
Phase Control Thyristor5STP 27H1800VDRM=1800 VIT(A V)M=2940 AIT(RMS)=4620 AITSM= 50.5103AVT0=0.912 VrT=0.096 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
|
2025-12-02 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 42L1800
Phase Control Thyristor5STP 42L1800VDRM=1800 VIT(A V)M=4310 AIT(RMS)=6770 AITSM= 64.0103AVT0=0.81 VrT=0.08 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（
|
2025-12-02 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 06D2800
Phase Control Thyristor5STP 06D2800VDRM=2800 VIT(A V)M=640 AIT(RMS)=1100 AITSM= 8.8103AVT0=0.92 VrT=0.78 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
|
2025-12-02 |
产品分类