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日立能源ABB GTO二极管5SGF 30J4502
Gate turn-off Thyristor5SGF 30J4502PRELIMINARYVDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24 kAVT0= 1.80 VrT= 0.70 mΩVDClin= 3000 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristorVDRM, VRRM= 1800 VITA Vm= 1780 AITSM= 21000 AVT0= 0.923 VrT= 0.188 mΩ 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 27H1800
Phase Control Thyristor5STP 27H1800VDRM=1800 VIT(A V)M=2940 AIT(RMS)=4620 AITSM= 50.5103AVT0=0.912 VrT=0.096 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 42L1800
Phase Control Thyristor5STP 42L1800VDRM=1800 VIT(A V)M=4310 AIT(RMS)=6770 AITSM= 64.0103AVT0=0.81 VrT=0.08 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（
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日立能源ABB PCT二极管5STP 50Q1800
Phase Control Thyristor5STP 50Q1800VDRM=1800 VIT(A V)M=6100 AIT(RMS)=9580 AITSM= 94.0103AVT0=0.90 VrT=0.050 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 06D2800
Phase Control Thyristor5STP 06D2800VDRM=2800 VIT(A V)M=640 AIT(RMS)=1100 AITSM= 8.8103AVT0=0.92 VrT=0.78 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 16F2810
5STP 16F2810Phase control thyristorVDRM, VRRM= 2800 VITA Vm= 1500 AITSM= 18000 AVT0= 0.956 VrT= 0.297 mΩ专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 24H2800
Phase Control Thyristor5STP 24H2800VDRM=2800 VIT(A V)M=2780 AIT(RMS)=4360 AITSM= 43.0103AVT0=0.928 VrT=0.141 mW专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2025-07-27 |
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