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日立能源ABB PCT二极管5STP 33L2800
Phase Control Thyristor5STP 33L2800VDRM=2800 VIT(A V)M=3760 AIT(RMS)=5900 AITSM= 65.5103AVT0=0.929 VrT=0.100 m专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 45N2800
Phase Control Thyristor5STP 45N2800VDRM=2800 VIT(A V)M=5250 AIT(RMS)=8240 AITSM= 77.0103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 45Q2800
Phase Control Thyristor5STP 45Q2800VDRM=2800 VIT(A V)M=5710 AIT(RMS)=8970 AITSM= 77.0103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 04D4200
Phase Control Thyristor5STP 04D4200VDRM=4200 VIT(A V)M=500 AIT(RMS)=785 AITSM= 7.1103AVT0=1.14 VrT=1.288 mW专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大多都
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 12F4200
Phase Control Thyristor5STP 12F4200VDRM=4200 VIT(A V)M=1190 AIT(RMS)=1860 AITSM= 17.3103AVT0=1.01 VrT=0.545 mW
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 18H4200
Phase Control Thyristor5STP 18H4200VDRM=4200 VIT(A V)M=2170 AIT(RMS)=3400 AITSM= 32.0103AVT0=0.982 VrT=0.274 mW
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 28L4200
Phase Control Thyristor5STP 28L4200VDRM=4200 VIT(A V)M=3290 AIT(RMS)=5160 AITSM= 54.0103AVT0=1.03 VrT=0.138 mW
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 38N4200
Phase Control Thyristor5STP 38N4200VDRM=4200 VIT(A V)M=4090 AIT(RMS)=6420 AITSM= 64.5103AVT0=0.973 VrT=0.126 m
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2025-07-27 |
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