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日立能源ABB GTO二极管5SGA 30J2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 30J2501VDRM= 2500 VITGQM= 2800 AITSM=30 kAVT0=1.5 VrT= 0.33 mVDClink= 1400 V 专利自由漂浮硅技术 低导通损耗和开关损耗 环形闸极 工业标准外壳 宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断。GTO的生
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2025-07-27 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 06D4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 06D4502PRELIMINARYVDRM=4500 VITGQM=600 AITSM=3103AVT0=1.9 VrT=3.5 mWVDclink=2800 V专利自由浮动硅技术低导通状态和开关损耗中心栅电极行业标准外壳抗宇宙辐射等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 20H4502
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H4502VDRM= 4500 VITGQM= 2000 AITSM= 13 kAVT0= 1.80 VrT= 0.85 mΩVDClin= 2200 V 专利自由漂浮硅技术 低导通损耗和开关损耗 环形闸极 工业标准外壳 宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断。GTO的
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 40L4501
Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断
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日立能源ABB GTO二极管5SGF 40L4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGF 40L4502VDRM=4500 VITGQM=4000 AITSM= 25103AVT0=1.2 VrT=0.65 mWVDclink=2800 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断。GTO的
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日立能源ABB GTO二极管5SGF 30J4502
Gate turn-off Thyristor5SGF 30J4502PRELIMINARYVDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24 kAVT0= 1.80 VrT= 0.70 mΩVDClin= 3000 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristorVDRM, VRRM= 1800 VITA Vm= 1780 AITSM= 21000 AVT0= 0.923 VrT= 0.188 mΩ 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
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2025-07-27 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 27H1800
Phase Control Thyristor5STP 27H1800VDRM=1800 VIT(A V)M=2940 AIT(RMS)=4620 AITSM= 50.5103AVT0=0.912 VrT=0.096 mW 专利浮动硅技术 低导通损耗和开关损耗 为牵引、能源和工业应用而设计 最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行
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2025-07-27 |
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