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日立能源ABB PCT二极管5STP 33L2800
Phase Control Thyristor5STP 33L2800VDRM=2800 VIT(A V)M=3760 AIT(RMS)=5900 AITSM= 65.5103AVT0=0.929 VrT=0.100 m专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（
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2025-12-02 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 45N2800
Phase Control Thyristor5STP 45N2800VDRM=2800 VIT(A V)M=5250 AIT(RMS)=8240 AITSM= 77.0103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2025-12-02 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 45Q2800
Phase Control Thyristor5STP 45Q2800VDRM=2800 VIT(A V)M=5710 AIT(RMS)=8970 AITSM= 77.0103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW专利浮动硅技术低导通损耗和开关损耗为牵引、能源和工业应用而设计最优的功率处理能力普通晶闸管（可控硅）（PCT）晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大
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2025-12-02 |
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日立能源ABB PCT二极管 5STP 12F4200
Phase Control Thyristor5STP 12F4200VDRM=4200 VIT(A V)M=1190 AIT(RMS)=1860 AITSM= 17.3103AVT0=1.01 VrT=0.545 mW
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2025-12-02 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 30J4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 30J4502VDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24103AVT0= 2.2 VrT= 0.6 mΩVDclink= 2800 V专利的自由浮动硅技术低导通状态和开关损耗环形栅电极行业标准外壳抗宇宙辐射等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断
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2025-11-11 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 40L4501
Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断
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2025-11-11 |
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日立能源ABB IGBT模块5SNA 1000G650300
供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯片组卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于低热阻和高功率循环能力的AlSiC基板和AlN基板在UL1557下识别，文件E196689ABB的 IGBT功率模块为电压从1700伏特至6500伏特的单一IGBT，双/桥臂式IGBT
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2025-11-05 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 15F2502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 15F2502VDRM=2500 VITGQM=1500 AITSM= 10103AVT0=1.45 VrT=0.90 mWVDclink=1400 V 专利自由漂浮硅技术 低导通损耗和开关损耗 环形闸极 行业标准的外壳 宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关
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2025-11-05 |
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