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静态参数
测试 执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012、GJB128B-2021
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;
检测能分:2000V/200A.7000V/5000A。
开关特性测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延 迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖 峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率
dv/dt、电流变化率di/dt。
反向恢复
特性测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间 Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec。
栅极电荷
测试 执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd。
结电容Cg
测试 执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:频率0.1MHz~1MHz、电压1500V、电容范围:10pF- 100nF;
试验参数:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres、栅极等 效电阻Rg。
雪崩耐量
测试 执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;
试验对象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件;
试验能力:检测电压:4500V,检测电流:200A
试验参数:雪崩能量EAS/EAR。
检测能力
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-
静态参数 2012、GJB128B-2021年本2案体试Butee。
测试 试验对象:DIODE、B/T:SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;
检测能分:2000V/200A.7000V/5000A。
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-
2012;半多体管体为与是件绝的极对极及注管试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
开关特性 试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
测试 试验参数:开通/关断时间ton/toff上升/下降时间tr/tf、开通/关断延
动 dv/dt、电流变化率di/dt。 迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖 峰lc-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013GB/T29332-
2012;
反向恢复 试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
特性测试 试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间
Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec。
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-
测试 栅极电荷 2012; 试验能力:1500V/300A、4500V/5000A; 试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验参数:栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd。
执行标准:MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013GB/T29332
2012;
测试结电容Cg100nF;试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;试验能力:频率0.1MHz~1MHz、电压1500V、电容范围:10pF-
试验参数:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres、栅极等
效电阻Rg。
执行标准:MIL-STD-750IEC60747,客户自定义;
雪崩耐量 试验对象:MOSFETIGBTDIODE,第三代半导体器件等单管器件;
测试 试验能力:检测电压:4500V，检测电流:200A
试验参数:雪崩能量EAS/EAR。
项目 检测能力
浪涌电流
一测试 执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;
试验对象:DIODE(Si/SiC)、整流桥、SCR、IGBT;
试验能力:检测电流:8000A,10/8.3ms正弦半波,10us-1ms方波;
试验参数:浪涌电流IFSM/ITSM、i2t。
热阻测试
Riath 执行标准:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;
试验对象:各类二极管;
试验能力:瞬态热阻、稳态热阻。
短路测试 执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-
2012;
试验对象:二极管、MOSFET、IGBT等功率模块;
试验能力:4500V/5000A、短路电流15000A;
试验参数:短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量ESCo
介电性测试 执行标准:GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB4793.1-2007;
试验对象:Si、SiC·MOSFET;
试验能力:检测电压:100V。
高温存储
HTSL
试验 执行标准:MIL-STD-750,GB/T 2423.2-2008、GJB548、;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度220℃;
低温存储
LTSL试验 执行标准:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ
ED-4701100、AEC-Q101、;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度-70C。
温度循环
Tc试验 执行标准:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ
ED-4701100、AEC-Q101、;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度范围:-40C~175C。
高温反偏
HTRB
试验 执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-
4701100、AEC-Q101;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件
及IGBT模块;
试验能力:温度150℃;电压5000V。
高温栅偏
HTGB
试验 执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED- 4701100、AEC-Q101;
试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;试验能力:温度150°℃;电压100V。
高温高湿
反偏H3TRB
试验 执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED- 4701100、AEC-Q101;试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;
试验能力:温度85°℃,湿度范围:25%-95%，电压4500V。
检测能力
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747，客户自定义;
浪涌电流 试验对象:DIODE(Si/SiC)、整流桥、SCRIGBT;
测试 试验能力:检测电流:8000A,10/8.3ms正弦半波，10us-1ms方波;
试验参数:浪涌电流IFSM/ITSM、i2t。
热阻测试 Riath试验对象:各类二极管;试验能力:瞬态热阻、稳态热阻。执行标准:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3JESD24-4、JESD24-6;
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013GB/T 29332-
2012;
短路测试 试验对象:二极管、MOSFET、IGBT等功率模块;
试验能力:4500V/5000A、短路电流15000A;
试验参数:短路电流lsc、短路时间Tsc、短路能量Esc。
执行标准:GB/T 42125.10-2022.IEC 60243、GB 4793.1-2007;
介电性测试 试验对象:Si.SiC·MOSFET;
试验能力:检测电压:100V。
高温存储 执行标准:MIL-STD-750,GB/T 2423.2-2008GJB548;
HTSL IGBT模块及其他电子产品;试验对象:DIODE、BJT.SCR、MOSFETIGBT、SiC器件等分立器件、
试验 试验能力:温度220℃;
执行标准:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ
低温存储 LTSL试验 IGBT模块及其他电子产品; ED-4701100、AEC-Q101、; 试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
试验能力:温度-70℃。
执行标准:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ
温度循环 ED-4701100、AEC-Q101;试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
Tc试验 IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度范围:-40℃~175℃。
高温反偏4701100、AEC-Q101;执行标准:GJB128 MIL-STD-750 JESD22-A108 EIAJ ED-
HTRB 试验对象:DIODE、BJT.SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件
试验及IGBT模块;试验能力:温度150℃;电压5000V。
高温栅偏 执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108.EIAJ ED-
试验 HTGB 试验能力:温度150℃;电压100V。 4701100、AEC-Q101; 试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;
高温高湿4701100、AEC-Q101;执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-
反偏H3TRB 试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件
试验 及IGBT模块;
试验能力:温度85℃，湿度范围:25%~95%，电压4500V。
功率老炼4701100,AEC-Q101;执行标准：GJB128,MIL-STD-750,JESD22-A108,EIAJ ED
试验 试验对象：IGBT,TVS，压敏电阻VDR;
试验能力：高电平520V，低电平5V.
功率循环 执行标准：GJB128,MIL-STD-750;
Pc试验试验对象：IGBT模块；检测能力：ATj=100C，电压30V，电流1800A.
间歇寿命 执行标准：GJB128,MIL-STD-750,;
loL试验检测能力：ATj100C电压60V，电流50A.试验对象：DIODE,BJT,MOSFET,IGBT及SiC器件等分立器件；
执行标准：GJB548,GJB 150-86,GB 2423,MIL-STD-
温度冲击 810H,IEC60068-2-14;
试验 试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器
件，IGBT模块及其他电子产品；
试验能力：温度范围：-70C~220C.
执行标准：GB/T 4937.4-2012,JESD22-A110D-2010IPC/JEDECJ-
STD-020D.1-2008;
高温蒸煮 试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，
PCT试验 IGBT模块及其他电子产品；
试验能力：温度范围：105C到142.9C之间，温度范围：75%到
100%RH，压力范围：0.02MPa到0.186MPa.
执行标准：GB/T2423.17-2008,GB/T2423.18-2000,Gb5938-86;
盐雾试验 试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，
IGBT模块及其他电子产品。
执行标准：MIL-STD-202G,MIL-STD-883G,GB2423,IEC60068;
可焊性试验 试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，
IGBT模块及其他电子产品。
执行标准：IEC 60068-2-27,GB/T 2423.5,MIL-STD-810G,GB/T
机械冲击 21563-2018;
试验 试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，
IGBT模块及其他电子产品。
执行标准：GJB 150.25-86,GB-T 4857.23-2003,GBT4857.10-
振动试验2005;试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，
IGBT模块及其他电子产品。
执行标准：GJB 150.25-86,GB-T 4857.23-2003,GBT4857.10-
引出端弯曲 2005;
试验 试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，
IGBT模块及其他电子产品。
执行标准：MIL-STD-883,JEDEC JESD22-B104,JEDEC JESD22-
引出端拉力 B109,IPC-9701;
试验 试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，
IGBT模块及其他电子产品。
功率老炼试验
4701100,AEC-Q101;执行标准：GJB128,MIL-STD-750,JESD22-A108,EIAJ ED-4701100,AEC-Q101;
试验 试验对象：IGBT,TVS，压敏电阻VDR;
试验能力：高电平520V，低电平5V.
静态参数
测试 执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012、GJB128B-2021
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;
检测能分:2000V/200A.7000V/5000A。
开关特性测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延 迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖 峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率
dv/dt、电流变化率di/dt。
雪崩耐量
测试 执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;
试验对象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件;
试验能力:检测电压:4500V,检测电流:200A
试验参数:雪崩能量EAS/EAR。
高温存储HTSL试验
执行标准:MIL-STD-750,GB/T 2423.2-2008、GJB548、;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度220℃;
温度循环Tc试验
执行标准:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100、AEC-Q101;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度范围:-40℃~175℃
QQ178752365